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MBR735	文件：65.349 Kbytes Page：2 Pages	7.5ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,Free Wheeling,andPolarityProtectionApplication •Lead-F	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR735	文件：35.18 Kbytes Page：3 Pages	7.5AmpereSchottkyBarrierRectifiers Features •Lowpowerloss,highefficiency. •Highsurgecapacity. •Foruseinlowvoltage,highfrequency inverters,freewheeling,andpolarity protectionapplications. •Metalsiliconjunction,majoritycarrier conduction. •Highcurrentcapacity,lowforward voltagedrop.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MBR735	文件：75.86 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER ReverseVoltage-35to60VoltsForwardCurrent-7.5Amperes FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassifications94V-0 ♦Metaltosiliconrectifier, majoritycarrierconduction ♦Lowpowerloss,highefficiency ♦Highcurrentcapability,lowforward	GE GE Industrial Company	GE
MBR735	文件：266.58 Kbytes Page：2 Pages	7.5AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR735	文件：60.7 Kbytes Page：2 Pages	7.5AMPS.SchottkyBarrierRectifiers FEATURES -Lowpowerloss,highefficiency -Guardringforovervoltageprotection -Highsurgecurrentcapability -ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUandinaccordancetoWEEE2002/96/EC -Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR735	文件：203.23 Kbytes Page：7 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER7.5Amp Description/Features TheMBRB7..Schottkyrectifierhasbeenoptimizedforlowreverseleakageathightemperature.Theproprietarybarriertechnologyallowsforreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,free-wheeling	IRF International Rectifier	IRF
MBR735	文件：81.66 Kbytes Page：2 Pages	WideTemperatureRangeandHighTjmSchottkyBarrierRectifiers FEATURES Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton Guardringfortransientprotection Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowVF Highsurgecapacity Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewhelling,andpolarityprotectionapplica	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR735	文件：42.56 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERDIODES PRV:35~60Volts Io:7.5Amperes FEATURES: PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassifications94V-0 Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Lowpowerloss,highefficiency Guardringforovervoltageprotection *Foruseinlowvoltage,highfr	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
MBR735	文件：103.78 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,7.5A FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR735	文件：121.37 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODE??PowerRectifiers FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •Pb−FreePackagesareAvailable* Applications •PowerSupply−OutputRectification •PowerManagement •Instrumentation	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
MAX735EPA
功能描述：
直流/直流开关调节器 5V- Inverting DC/DC Converter
RoHS：
否
制造商：
International Rectifier
最大输入电压：
21 V
开关频率：
1.5 MHz
输出电压：
0.5 V to 0.86 V
输出电流：
4 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PQFN 4 x 5

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