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MB660XXX	文件：1.52954 Mbytes Page：22 Pages	CMOSGateArray	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式会社	Fujitsu
MB660XXX	文件：904.22 Kbytes Page：18 Pages	AVCMOSSEREISGATEARRAYS	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式会社	Fujitsu
MBR660	文件：85.79 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwardvoltage,highcurrentcapability •Highsurgecapacity. •Foruseinlowvoltage,highfrequenc	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR660	文件：176.16 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●SchottkyBarrierChip ●IdeallySuitedforAutomaticAssembly ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●ForUseinLowVoltageApplication ●GuardRingDieConstruction ●PlasticCaseMaterialhasULFlammabilityClassificationRating94V-O	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR660	文件：1.4235 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MBR660	文件：1.45043 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MBR660	文件：1.40764 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MBR660CS	文件：915.84 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyDiodes ■Features ●Lowpowerloss,highefficiency. ●Lowforwrdvoltage,highcurrentcapability ●Highsurgecapacity. ●Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MBR660CT	文件：87.84 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwardvoltage,highcurrentcapability. •Highsurgecapacity. •Foruseinlowvoltage,highfrequen	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR660CT	文件：800.13 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwrdvoltge,highcurrentcapability •Highsurg	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	MAX660MX其他被动元件	HARRIS/哈里斯	23+	SOP	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	MAX660MX其他被动元件	NS/国半	25+	SOP-8	54658	百分百原装现货实单必成	询价
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更多MAX660MX其他被动元件供应商更新时间2025-7-28 13:01:00

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