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NIS6350	文件：293.86 Kbytes Page：10 Pages	5VoltElectroniceFuse	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NIV6350	文件：293.86 Kbytes Page：10 Pages	5VoltElectroniceFuse	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJU6350	文件：87.42 Kbytes Page：9 Pages	SERIALI/OREALTIMECLOCK	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJU6350C	文件：87.42 Kbytes Page：9 Pages	SERIALI/OREALTIMECLOCK	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJU6350R	文件：87.42 Kbytes Page：9 Pages	SERIALI/OREALTIMECLOCK	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NX6350EP	文件：702.19 Kbytes Page：7 Pages	LASERDIODE 1270/1290/1310/1330nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODE FOR40GBASE-LR4APPLICATION DESCRIPTION TheNX6350EPseriesisa1270/1290/1310/1330nmMultipleQuantum Well(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewith InGaAsmonitorPIN-PD. APPLICATIONS •40GBASE-LR4 •Bi-D	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6350EP	文件：1.01345 Mbytes Page：6 Pages	LASERDIODE1270/1290/1310/1330nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODEFOR40GBASE-LR4APPLICATION	CEL California Eastern Labs	CEL
NX6350GP	文件：694.5 Kbytes Page：7 Pages	LASERDIODE 1270/1290/1310/1330nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODE FOR40GBASE-LR4&10Gb/sE-PONONUAPPLICATION DESCRIPTION TheNX6350GPseriesisa1270/1290/1310/1330nmMultipleQuantum Well(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewith InGaAsmonitorPIN-PD. APPLICATIONS •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6350GP	文件：903.68 Kbytes Page：6 Pages	1270/1290/1310/1330nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODE	CEL California Eastern Labs	CEL
PCI6350	文件：883.58 Kbytes Page：2 Pages	Asynchronous32-bitPCI-to-PCIBridge	PLX PLX Technology	PLX

产品属性

产品编号：
MAX6350CSA
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 电压基准
包装：
卷带（TR）
参考类型：
串联，隐埋式齐纳
输出类型：
固定
电压 - 输出（最小值/固定）：
5V
容差：
±0.02%
温度系数：
1ppm/°C
噪声 - 0.1Hz 至 10Hz：
3µVp-p
噪声 - 10Hz 至 10Hz：
2.5µVrms
电压 - 输入：
8V ~ 36V
电流 - 供电：
3.3mA
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC VREF SERIES 0.02% 8SOIC

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