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MCH6342-TL-H	文件：533.78 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •1.8Vdr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6342-TL-W	文件：533.78 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •1.8Vdr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MHW6342	文件：60.35 Kbytes Page：2 Pages	77-Channel(550MHz)CATVAmplifier TheRFLine 77-Channel(550MHz)CATVAmplifier ...designedspecificallyfor550MHzCATVapplications.Featuresion–implantedarsenicemittertransistorswith7GHzfTandanallgoldmetallizationsystem. •Specifiedfor77–ChannelPerformance •BroadbandPowerGain-@f=40–550MHz	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MHW6342TN	文件：162.44 Kbytes Page：4 Pages	CATVAmplifierModule Description •24VdcSupply,40to550MHz,CATVForwardAmplifierModule •ReplacedMHW6342T.Therearenoform,fitorfunctionchangeswiththispartreplacement. •RoHSCompliant Features •Specifiedfor77-ChannelLoading •ExcellentDistortionPerformance •SuperiorGain,ReturnLoss	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
NJU6342	文件：308.05 Kbytes Page：4 Pages	TRI-STATEBUFFER	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJU6342XC	文件：308.05 Kbytes Page：4 Pages	TRI-STATEBUFFER	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJU6342XE	文件：308.05 Kbytes Page：4 Pages	TRI-STATEBUFFER	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NX6342EP	文件：202.04 Kbytes Page：7 Pages	LASERDIODE1310nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODEFOR10Gb/sBASE-LR/LWAPPLICATION DESCRIPTION TheNX6342EPisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD. FEATURES •OpticaloutputpowerPO=8.5mW •LowthresholdcurrentIth=8mA •Differentialefficiencyηd=0.23W/A •Wideoperatingtemperatur	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6342EP	文件：899.27 Kbytes Page：6 Pages	1310nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODEFOR10Gb/sBASE-LR/LWAPPLICATION	CEL California Eastern Labs	CEL
NX6342EP-AZ	文件：899.27 Kbytes Page：6 Pages	1310nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODEFOR10Gb/sBASE-LR/LWAPPLICATION	CEL California Eastern Labs	CEL

详细参数

型号：
MAX6342_UT-T
功能描述：
监控电路
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Active Low, Open Drain
人工复位：
Resettable
监视器：
No Watchdog
电池备用开关：
No Backup
上电复位延迟（典型值）：
10 s
电源电压-最大：
5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UDFN-6
封装：
Reel

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