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MAX5865ETM	文件：2.14458 Mbytes Page：26 Pages	Ultra-Low-Power, High-Dynamic- Performance, 40Msps Analog Front End	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX5865ETM+	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-WFQFN 裸露焊盘；包装：托盘类别：集成电路（IC）模拟前端（AFE）描述：IC AFE 4 CHAN 10BIT 48TQFN	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
MAX5865ETM+T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-WFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）模拟前端（AFE）描述：IC AFE 4 CHAN 10BIT 48TQFN	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
MSM5865SEV	文件：37.7 Kbytes Page：1 Pages	MICROSPACEMSM586PC/104ProcessorBoardwithLANVGA/LCD	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
NTD5865	文件：108.19 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5865	文件：113.99 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET60V,38A,18m	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5865	文件：452.59 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET Features LowGateCharge FastSwitching HighCurrentCapability • VDS(V)=60V ID=46A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
NTD5865N	文件：113.99 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET60V,38A,18m	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5865N	文件：2.23362 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
NTD5865N	文件：299.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=43A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
MAX5865ETM
功能描述：
ADC/DAC多通道
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
分辨率：
8 bit
接口类型：
SPI
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-40

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