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MMBZ5251B	文件：106.88 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBZ5251B	文件：295.79 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountZenerDiode	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBZ5251B	文件：523.669 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
MMBZ5251B	文件：219.53 Kbytes Page：5 Pages	350mWSurfaceMountZenerDiode FEATURES ●PlanarDieConstruction. ●350mwPowerDissipation. ●Generalpurpose,mediumcurrent. ●IdeallySuitedForAutomatedAssemblyPrcesses. APPLICATIONS ●350MwSurfacemountzenerdiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBZ5251B	文件：88.34 Kbytes Page：5 Pages	350mWSURFACEMOUNTZENERDIODE	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBZ5251B	文件：372.69 Kbytes Page：2 Pages	300MWSurfaceMountZenerDiodes Features ●PlanarDieConstruction ●300mWPowerDissipationonFR-4PCB ●GeneralPurpose,MediumCurrent ●IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcess	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MMBZ5251B	文件：109.72 Kbytes Page：5 Pages	350mWSURFACEMOUNTZENERDIODE Features •PlanarDieConstruction •350mWPowerDissipationonFR-4PCB •GeneralPurpose,MediumCurrent •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBZ5251B	文件：137.28 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiode FEATURES： •PlanarDieConstruction •350mWPowerDissipationonFR-4PCB •Generalpurpose,MediumCurrent •IdeallySuitedforAutomatedAssembly	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBZ5251B	文件：1.05675 Mbytes Page：5 Pages	ZENERDIODE FEATURES •PlanarDieConstruction •General3urpose,MediumCurrent •IdeallySuitedforAutomatedAssembly	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMBZ5251B	文件：84.76 Kbytes Page：5 Pages	300mWSOT-23SeriesSurfaceMountZenerVoltageRegulatorDiodes	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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产品属性

产品编号：
MAX5251AEPP
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 数模转换器（DAC）
包装：
管件
位数：
10
数模转换器数：
4
建立时间：
12µs（标准）
输出类型：
Voltage - Buffered
差分输出：
无
数据接口：
SPI
参考类型：
外部
电压 - 供电，模拟：
3V ~ 3.6V
电压 - 供电，数字：
3V ~ 3.6V
INL/DNL (LSB)：
±0.25，±1（最大）
架构：
R-2R
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
20-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
20-PDIP
安装类型：
通孔
描述：
IC DAC 10BIT V-OUT 20DIP

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