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MUR5060R	文件：787.72 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
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NDB5060	文件：306.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.05Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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NDP5060	文件：295.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.05Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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NDP5060L	文件：295.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES DrainCurrent-ID=26A@TC=25℃ DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.05Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTE5060A	文件：26.48 Kbytes Page：3 Pages	ZenerDiode,1/2Watt짹5Tolerance Features: ●ZenerVoltage2.4to200V ●DO35Package	NTE NTE Electronics	NTE

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产品属性

产品编号：
MAX5060ATI
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > PMIC - 稳压器 - DC DC 开关式控制器
包装：
托盘
输出类型：
晶体管驱动器
功能：
降压
输出配置：
正
拓扑：
降压
输出阶段：
1
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
4.75V ~ 28V
频率 - 开关：
125kHz ~ 1.5MHz
同步整流器：
是
时钟同步：
是
控制特性：
限流，使能，频率控制，电源良好
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
28-WFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
28-TQFN（5x5）
描述：
IC REG CTRLR BUCK 28TQFN

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