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TSM5055DCR	文件：398.13 Kbytes Page：9 Pages	AsymmetricDualN-Channel30V(D-S)PowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
UM5055	文件：150.87 Kbytes Page：5 Pages	SingleLineESDProtectionDiodeArray GeneralDescription TheUM5055ESDprotectiondiodeisdesignedtoreplacemultilayervaristors(MLVs)inportableapplicationssuchascellphones,notebookcomputers,andPDA’s.Itfeatureslargecross-sectionalareajunctionsforconductinghightransientcurrents,offersdesirableelectrical	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英联英联半导体股份有限公司	UNIONSEMI

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TSM5055DCR

文件：398.13 Kbytes

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AsymmetricDualN-Channel30V(D-S)PowerMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSC

UM5055

文件：150.87 Kbytes

Page：5 Pages

SingleLineESDProtectionDiodeArray

GeneralDescription TheUM5055ESDprotectiondiodeisdesignedtoreplacemultilayervaristors(MLVs)inportableapplicationssuchascellphones,notebookcomputers,andPDA’s.Itfeatureslargecross-sectionalareajunctionsforconductinghightransientcurrents,offersdesirableelectrical

UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc.

英联英联半导体股份有限公司

UNIONSEMI

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产品属性

产品编号：
MAX5055AASA
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
低端
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4V ~ 15V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.1V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
4A，4A
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
32ns，26ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SOIC-EP
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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