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TSM5055DCR	文件：398.13 Kbytes Page：9 Pages	Asymmetric Dual N-Channel 30V (D-S) Power MOSFET 文件：398.13 Kbytes 页数：9 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM5055DCR (Q2)	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V, 107A, Dual N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
UM5055	文件：150.87 Kbytes Page：5 Pages	Single Line ESD Protection Diode Array General Description The UM5055 ESD protection diode is designed to replace multilayer varistors (MLVs) in portable applications such as cell phones, notebook computers, and PDA’s. It features large cross-sectional area junctions for conducting high transient currents, offers desirable electrical 文件：150.87 Kbytes 页数：5 Pages	UNIONSEMI 英联	UNIONSEMI
ACE5055LA	文件：202.07 Kbytes Page：3 Pages	300mA Ultra-low Noise, Ultra-Fast CMOS LDO Regulator 文件：202.07 Kbytes 页数：3 Pages	ACE	ACE
ACTF5055	文件：464.98 Kbytes Page：7 Pages	RF filter 文件：464.98 Kbytes 页数：7 Pages	ACT	ACT
ADAM-5055S	文件：624.93 Kbytes Page：1 Pages	8-ch Isolated Digital Input Module 文件：624.93 Kbytes 页数：1 Pages	ADVANTECH 研华科技	ADVANTECH

技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Trench
Configuration：
Dual
Status：
Active
AEC-Q：
No
VDS (V)：
30
VGS ±(V)：
20
ID Max. (A)：
107
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
3.6
RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
2.7
RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ)：
5.5
RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ)：
3.7
Qg (nC) @ 10V：
49
Qg (nC) @ 4.5V：
25
Qgd (nC)：
12
Qgs (nC)：
7.3
Ciss (pF)：
2550
Coss (pF)：
388
Crss (pF)：
276
MSL：
1
VGS(th) Max. (V)：
2.5
VGS(th) Min. (V)：
1.2
VGS(th) Typ. (V)：
1.6

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