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MAX4951EVKIT	文件：255.57 Kbytes Page：9 Pages	EyeDiagramTestCircuitwithSMAInputs/Outputs	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX4951EVKIT+	文件：255.57 Kbytes Page：9 Pages	EyeDiagramTestCircuitwithSMAInputs/Outputs	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MGF4951	文件：182.13 Kbytes Page：4 Pages	SUPERLOWNOISEInGaAsHEMT DESCRIPTION TheMGF4951A/MGF4952Asuper-lownoiseHEMT(HighElectronMobilityTransistor)isdesignedforuseinCtoKbandamplifiers.Thelead-lessceramicpackageassuresminimumparasiticlosses. FEATURES Lownoisefigure@f=12GHz MGF4951A:NFmin.=0.40dB(Typ.) MGF495	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MGF4951A	文件：184.61 Kbytes Page：5 Pages	SUPERLOWNOISEInGaAsHEMT	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MGF4951A	文件：182.13 Kbytes Page：4 Pages	SUPERLOWNOISEInGaAsHEMT DESCRIPTION TheMGF4951A/MGF4952Asuper-lownoiseHEMT(HighElectronMobilityTransistor)isdesignedforuseinCtoKbandamplifiers.Thelead-lessceramicpackageassuresminimumparasiticlosses. FEATURES Lownoisefigure@f=12GHz MGF4951A:NFmin.=0.40dB(Typ.) MGF495	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
NTE4951	文件：26.12 Kbytes Page：2 Pages	SurgeClamping,TransientOvervoltageSuppressorBidirectional Description: TheNTE4900seriesofsiliconTransientSuppressorsdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsfromhighenergyvoltagetransients.Transientovervoltagesuppressordeviceshavebecomeveryimportantasaconsequenceoftheirhighsurgecapability,extremelyfastresponsetime	NTE NTE Electronics	NTE
NTLLD4951NF	文件：155.85 Kbytes Page：12 Pages	DualN-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTLLD4951NFTWG	文件：155.85 Kbytes Page：12 Pages	DualN-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTTFS4951N	文件：122.57 Kbytes Page：7 Pages	SingleN?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTTFS4951NTAG	文件：122.57 Kbytes Page：7 Pages	SingleN?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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