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NCE4606B	文件：403.06 Kbytes Page：10 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE4606Busesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thecomplementary MOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighside switch,andforahostofotherapplications. GeneralFeatures ●N-Channel VDS=30V,ID=6A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE4606C	文件：1.12682 Mbytes Page：10 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE4606Cusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thecomplementary MOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighside switch,andforahostofotherapplications. GeneralFeatures ●N-Channel VDS=30V,ID=6A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
PE4606	文件：235.17 Kbytes Page：3 Pages	75OhmBNCMaleRightAngleConnectorClamp-SolderAttachmentForRG11,RG216	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PE4606	文件：330.94 Kbytes Page：3 Pages	75OhmBNCMaleRightAngleConnectorClamp/SolderAttachment	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PE4606	文件：2.78555 Mbytes Page：8 Pages	N-ChanelandP-ChannelMOSFETuseadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
PJQ4606	文件：1.26305 Mbytes Page：9 Pages	30VComplementaryEnhancementModeMOSFET Features Highswitchingspeed Improveddv/dtcapability LowGateCharge Lowreversetransfercapacitance LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
RN4606	文件：250.46 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess)SiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN4606	文件：159.77 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess)SiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
S4606ZA	文件：1.23301 Mbytes Page：14 Pages	N-andP-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SIR4606DP	文件：190.72 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®GenIVpowerMOSFET •TunedforthelowestRDS-QossFOM •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Primarysideswitch •Synchronousrectification •DC/DCconverter •Moto	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
MAX4606CSE-T
功能描述：
模拟开关 IC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
开关数量：
2
开关配置：
SPDT
开启电阻（最大值）：
0.1 Ohms
工作电源电压：
2.7 V to 4.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DSBGA-16

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