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SI4559ADY	文件：253.5 Kbytes Page：14 Pages	N-andP-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •CCFLInverter	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI4559ADY	文件：3.5315 Mbytes Page：7 Pages	N-ChanelandP-ChannelMOSFETuseadvancedtrenchTechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
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SI4559EY	文件：84.11 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S),175째CMOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFETs •175°CMaximumJunctionTemperature •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SVINJM4559DS	文件：38.67 Kbytes Page：1 Pages	BLOCKDIAGRAMOFICS •ThisisthebasicblockdiagramoftheinsidecircuitofIC.Inan actualcircuit,theremaybesometimesidleterminalsorsomedifferent functionsotherthanthebasiccircuit	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UPC4559	文件：393.46 Kbytes Page：10 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Internalfrequencycompensation •Lownoise •Outputshortcircuitprotection	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC4559	文件：207.13 Kbytes Page：8 Pages	HIGHPERFORMANCEDUALOPERATIONALAMPLIFIER???? SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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详细参数

型号：
MAX4559CEE+
功能描述：
多路器开关 IC
4：
1 2Ch Low Voltage Analog MUX
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1
开关数量：
4
开启电阻（最大值）：
7 Ohms
传播延迟时间：
0.25 ns
工作电源电压：
2.3 V to 3.6 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UQFN-16

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