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MUR452	文件：62.03 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECTIFIER ReverseVoltage:50to600Volts ForwardCurrent:4.0Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammability Classification94V-0 ▪Lowforwardvoltagedrop ▪Highcurrentcapability,Highreliability ▪Lowpowerloss,highefficiency ▪Highsurgecurrentcapability	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MUR452G	文件：62.03 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
NDT452	文件：227.54 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription PowerSOTP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDT452	文件：92.94 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription PowerSOTP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDT452AP	文件：92.94 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription PowerSOTP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDT452AP-NL	文件：1.7476 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel35V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDT452P	文件：227.54 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription PowerSOTP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NTE452	文件：24.35 Kbytes Page：2 Pages	SiliconN-ChannelJFETTransistorVHFAmplifier,Mixer Description: TheNTE452isasilicon,N–channeljunctionfieldeffecttranistor(JFET)inaTO72typepackagedesignedtobeusedinthedepletionmodeinVHF/UHFamplifiers.	NTE NTE Electronics	NTE
NUCLEO-L452RE	文件：406.58 Kbytes Page：6 Pages	STM32Nucleo-64boards Description TheSTM32NucleoboardprovidesanaffordableandflexiblewayforuserstotryoutnewconceptsandbuildprototypeswiththeSTM32microcontroller,choosingfromthevariouscombinationsofperformance,powerconsumptionandfeatures.TheArduino™UnoV3connectivitysupportandthe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NUCLEO-L452RE	文件：263.45 Kbytes Page：5 Pages	STM32Nucleo-64board Description TheSTM32NucleoboardprovidesanaffordableandflexiblewayforuserstotryoutnewconceptsandbuildprototypeswiththeSTM32microcontroller,choosingfromthevariouscombinationsofperformance,powerconsumptionandfeatures.TheArduino™UnoV3connectivitysupportandthe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
MAX452ESA-T
功能描述：
视频放大器
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
通道数量：
4
工作电源电压：
3.3 V, 5 V
封装/箱体：
TSSOP-14
封装：
Reel

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更多MAX452ESA-T供应商更新时间2025-5-29 14:01:00

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