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NCE4435	文件：351.66 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE4435	文件：1.00262 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE4435B	文件：714.47 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE4435Busesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-12A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE4435X	文件：277.4 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE4435Xusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-10A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
PD4435	文件：212.45 Kbytes Page：11 Pages	4-Character5x7DotMatrixAlphanumericProgrammableDisplay??withBuilt-inCMOSControlFunctions DESCRIPTION TheseProgrammableDisplaysarefourdigitdisplaysystemmodules.Thecharactersare0.20by0.14(PD243X),0.27by0.20(PD353X),and0.45by0.27(PD443X)5x7dotmatrixarraysconstructedwiththelatestsolidstatetechnologyinlightemittingdiodes. FEATURES •FourDotMa	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
PD4435	文件：937.39 Kbytes Page：14 Pages	Lead(Pb)FreeProduct-RoHSCompliant	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
PE4435	文件：108.05 Kbytes Page：1 Pages	NFEMALECLAMPATTACHMENT	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PJQ4435EP	文件：459.54 Kbytes Page：6 Pages	30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-10A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJQ4435EP-AU	文件：393.52 Kbytes Page：6 Pages	30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-10A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PT4435	文件：2.58695 Mbytes Page：3 Pages	30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI

详细参数

型号：
MAX4435ESA-T
功能描述：
高速运算放大器
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1 电压增益
dB：
116 dB
输入补偿电压：
0.5 mV
转换速度：
55 V/us
工作电源电压：
36 V
电源电流：
7.5 mA
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

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更多MAX4435ESA-T供应商更新时间2025-5-7 11:02:00

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