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SGA4286ZSR	文件：293.14 Kbytes Page：7 Pages	DCto5000MHz,CASCADABLESiGeHBTMMICAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SI4286DY	文件：259.86 Kbytes Page：10 Pages	DualN-Channel40V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®GenIIIPowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter -ExternalHDD -NotebookSystem •LCDDisplayBackligh	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI4286DY	文件：195.19 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel40V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®GenIIIPowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter -ExternalHDD -NotebookSystemPower •LCDDisplayBacklighting	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI4286DY	文件：1.15608 Mbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SI4286DY	文件：262.41 Kbytes Page：10 Pages	DualN-Channel40V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
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TLE4286G	文件：239 Kbytes Page：11 Pages	5-VVoltageRegulator15mAoutputcurrentcapability FunctionalDescription TheTLE4286Gisa5-Vlow-dropfixedvoltageregulatorintheverysmallSMDpackagePG-SCT-595-5.Themaximuminputvoltageis42V.Theoutputisabletodrivealoadofmorethan10mAwhileitregulatestheoutputvoltagewithina4accuracy. Thedevicecanbeswitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
TLE4286G	文件：42.48 Kbytes Page：9 Pages	5-VVoltageRegulator FunctionalDescription TheTLE4286Gisa5-Vlow-dropfixedvoltageregulatorintheverysmallSMDpackageSCT-595.Themaximuminputvoltageis42V.Theoutputisabletodrivealoadofmorethan10mAwhileitregulatestheoutputvoltagewithina4accuracy. Thedevicecanbeswitchedin	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
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详细参数

型号：
MAX4286
功能描述：
高速运算放大器 3V/5V 250MHz ADC Buffer Amp
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1 电压增益
dB：
116 dB
输入补偿电压：
0.5 mV
转换速度：
55 V/us
工作电源电压：
36 V
电源电流：
7.5 mA
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

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