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MAX4230AXKSLASHV	文件：1.25497 Mbytes Page：28 Pages	HighOutput-Drive,10MHz,10V/mus,Rail-to-RailI/OOpAmpswithShutdowninSC70 GeneralDescription TheMAX4230–MAX4234single/dual/quad,high-outputdriveCMOSopampsfeature200mAofpeakoutputcurrent,rail-to-railinput,andoutputcapabilityfromasingle2.7Vto5.5Vsupply.Theseamplifiersexhibitahighslewrateof10V/µsandagain-bandwidthproduct(GBWP)of10	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX4230AXKSLASHV+T	文件：1.25497 Mbytes Page：28 Pages	HighOutput-Drive,10MHz,10V/μs,Rail-to-RailI/OOpAmpswithShutdowninSC70	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX4230AXK-T	文件：529.4 Kbytes Page：18 Pages	High-Output-Drive,10MHz,10V/Us,Rail-to-RailI/OOpAmpswithShutdowninSC70 GeneralDescription TheMAX4230–MAX4234single/dual/quad,high-outputdriveCMOSopampsfeature200mAofpeakoutputcurrent,rail-to-railinput,andoutputcapabilityfromasingle2.7Vto5.5Vsupply.Theseamplifiersexhibitahighslewrateof10V/µsandagain-bandwidthproduct(GBWP)of10	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
N4230A	文件：3.49642 Mbytes Page：10 Pages	MIPIM-PHYProtocolAnalyzer	KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
PBSS4230PAN	文件：752.18 Kbytes Page：17 Pages	30V,2ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPN/NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4230PANP.PNP/PNPcomplement:PBSS5230PAP. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4230PANP	文件：854.83 Kbytes Page：21 Pages	30V,2ANPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPN/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:PBSS4230PAN.PNP/PNPcomplement:PBSS5230PAP. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollect	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4230QA	文件：730.47 Kbytes Page：17 Pages	30V,2ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. PNPcomplement:PBSS5230QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4230T	文件：472.46 Kbytes Page：8 Pages	30V,2ANPNlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements •CosteffectivealternativetoMOSFETsinspecificapplications. APPLICATIONS •Powermanagem	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4230T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4230T	文件：47.87 Kbytes Page：7 Pages	NPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNBISStransistorinaSOT23plasticpackageprovidingultralowVCEsatandRCEsatparameters. PNPcomplement:PBSS5230T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtolessheatgeneration	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
MAX4230AUK-T
功能描述：
运算放大器 - 运放 10MHz 10V/us Rail-Rail I/O
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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