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NE-4120A	文件：506.23 Kbytes Page：4 Pages	10/100Mbpsembeddedserialdeviceservers	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
NE-4120A-T	文件：506.23 Kbytes Page：4 Pages	10/100Mbpsembeddedserialdeviceservers	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
NE-4120S	文件：506.23 Kbytes Page：4 Pages	10/100Mbpsembeddedserialdeviceservers	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
NE-4120-ST	文件：487.71 Kbytes Page：2 Pages	10/100Mbpsembeddedserialdeviceserverswithastarterkit	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
NE-4120S-T	文件：506.23 Kbytes Page：4 Pages	10/100Mbpsembeddedserialdeviceservers	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
NSL-4120	文件：28.52 Kbytes Page：1 Pages	TO-18PhotocellsHermeticPackage	SILONEX Luna Innovations Incorporated	SILONEX
NSL-4120	文件：332.26 Kbytes Page：1 Pages	TO-18HermeticPhotocell	ADVANCEDPHOTONIX Advanced Photonix, Inc.	ADVANCEDPHOTONIX
NTMFS4120N	文件：95.1 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET30V,31A,SingleN-Channel,SO-8FlatLead	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PBSS4120T	文件：47.73 Kbytes Page：7 Pages	20V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNBISStransistorinaSOT23plasticpackageprovidingultralowVCEsatandRCEsatparameters. PNPcomplement:PBSS5120T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtolessheatgeneration	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4120T	文件：460.64 Kbytes Page：8 Pages	20V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements •CosteffectivealternativetoMOSFETsinspecificapplications. APPLICATIONS •Powermanagem	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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详细参数

型号：
MAX4120ESD
功能描述：
高速运算放大器
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1 电压增益
dB：
116 dB
输入补偿电压：
0.5 mV
转换速度：
55 V/us
工作电源电压：
36 V
电源电流：
7.5 mA
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

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