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SI3443CDV	文件：241.26 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •HDD •AsynchronousRectification •LoadSwitchforPortableDevices	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI3443CDV	文件：145.29 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI3443CDV	文件：215.84 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI3443DDV	文件：249.78 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI3443DV	文件：131.11 Kbytes Page：7 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
SI3443DV	文件：64.64 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel2.5-V(G-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI3443DV	文件：130.08 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheseP-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ●U	IRF International Rectifier	IRF
SI3443DV	文件：111.62 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETisproducedusingFairchildsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainlowgatecharageforsuperiorswitchingperformance. Features •–4A,–20V.RDS(ON)=0.065Ω	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SI3443DVPBF	文件：109.28 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET	InterFET InterFET Corporation	InterFET

产品属性

产品编号：
MAX3443EESA+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 驱动器，接收器，收发器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
收发器
协议：
RS422，RS485
驱动器/接收器数：
1/1
双工：
半
数据速率：
10Mbps
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

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