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SPN2622	文件：188.89 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司	SYNC-POWER
SST2622	文件：366.64 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET Description TheSST2622utiltzedadvanceprocessingtechniquestoachievethelowestTheSOT-26isuniversallyusedforallcommercial-industrialapplications.possibleon-resistance,extermelyefficientandcost-effectivenessdevice. Features RoHSCompliant LowGateCharge *SurfaceMo	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
STS2622	文件：615.06 Kbytes Page：7 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TSOP6package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS2622	文件：453.69 Kbytes Page：6 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features: *SuperHighDenseCellDesignForLowRDS(ON) RDS(ON)	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
STS2622A	文件：521.76 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STS2622A	文件：171.79 Kbytes Page：7 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SufaceMountPackage.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STT2622	文件：492.07 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
TA2622A	文件：1.13683 Mbytes Page：10 Pages	SAWFilter751MHzSMD1109(BW=10MHz)	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TGA2622	文件：578.42 Kbytes Page：14 Pages	9to10GHz40WGaNPowerAmplifier	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TGA2622-CP	文件：611.33 Kbytes Page：15 Pages	9to10GHz35WGaNPowerAmplifier	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint

产品属性

产品编号：
MAX2622EUA-T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
晶体，振荡器，谐振器 > VCO（压控振荡器）
系列：
MAX2622
包装：
托盘
频率范围：
855 ~ 881MHz
频率 - 中心：
868MHz
电压 - 供电：
2.7V ~ 5.5V
二次谐波，典型值（dBc）：
-27
最大 Icc：
11.5mA
推移（MHz/V）：
0.28（标准）
功率 (dBm)：
-3 ±3
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
大小 / 尺寸：
0.118" 长 x 0.118" 宽（3.00mm x 3.00mm）
描述：
IC VCO OSCILLATOR UMAX

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