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MJ2500	文件：74.85 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtionPowerTransistor DESCRIPTION ·Built-inBase-EmitterShuntResistors ·HighDCcurrentgain hFE=1000(Min)@IC=-5A ·Collector-EmitterBreakdownVoltage V(BR)CEO=-60V(Min) ·ComplementtotypeMJ3000 APPLICATIONS ·Designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurpose	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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