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MJE182	文件：126.26 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector–EmitterSustainingVoltage—:VCEO(SUS)=80V ·DCCurrentGain—:hFE=30(Min)@IC=0.5A =12(Min)@IC=1.5A ·ComplementtoTypeMJE172 APPLICATIONS ·Lowpoweraudioamplifier ·Lowcurrenthighspeedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE182	文件：83.18 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors40??60??80VOLTS12.5WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE182	文件：102.83 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·ComplementtotypeMJE170/171/172 APPLICATIONS ·Forlowpoweraudioamplifierandlowcurrenthighspeedswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE182	文件：95.68 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPLASTICPOWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPLASTICPOWERTRANSISTORS ...designedforlowpoweramplifierandlowcurrent,highspeedswitchiiapplications. FEATURES: *Collector-EmitterSustainingVoHage- VCEO(SUS)=40V(Min)-MJE170.MJE180 =60V(Min)-MJE171.MJE181	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJE182	文件：71.77 Kbytes Page：1 Pages	SILICONCOMPLEMENTRYPOWERTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJE182G	文件：144.78 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE182G	文件：83.18 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors40??60??80VOLTS12.5WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE182G	文件：125.78 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors TheMJE170/180seriesisdesignedforlowpoweraudioamplifierandlowcurrent,highspeedswitchingapplications. Features •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=40Vdc−MJE170,MJE180 =60Vdc−MJE171,	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPA-182	文件：212.06 Kbytes Page：1 Pages	L1PASSIVEGPSMICROSTRIPANTENNA Description Ourpatchantennaofferingsareperfectforprojectswithasmallerscopeandbudgetforwhichhigh-performanceandlowerweightisnotaprimaryfactorforconsiderationfortheantenna.Theyareidealforlessdemandingapplicationswhereextremeperformanceandbatterylifecanbe	MAXTENA Maxtena Inc.	MAXTENA
MRF182	文件：271.9 Kbytes Page：1 Pages	RFPOWERFETTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF182isanRFpowerfieldeffecttransistor,N-ChannelEnhancement-ModelateralMOSFET. FEATURESINCLUDE: •BradbandperformancefromHFto1GHz •Omnigold™MetalizationSystem •HighGain,Ruggeddevice.	ASI Advanced Semiconductor	ASI

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详细参数

型号：
MAX182BMJI
功能描述：
模数转换器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

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