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MJE182G	文件：144.78 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE182G	文件：83.18 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors40??60??80VOLTS12.5WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPA-182	文件：212.06 Kbytes Page：1 Pages	L1PASSIVEGPSMICROSTRIPANTENNA Description Ourpatchantennaofferingsareperfectforprojectswithasmallerscopeandbudgetforwhichhigh-performanceandlowerweightisnotaprimaryfactorforconsiderationfortheantenna.Theyareidealforlessdemandingapplicationswhereextremeperformanceandbatterylifecanbe	MAXTENAMaxtena Inc. MAXTENAMaxtena Inc.	MAXTENA
MRF182	文件：133.23 Kbytes Page：8 Pages	LATERALN-CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFETs •HighGain,RuggedDevice •BroadbandPerformancefromHFto1GHz •BottomSideSourceEliminatesDCIsolators,ReducingCommonModeInductances	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MRF182	文件：271.9 Kbytes Page：1 Pages	RFPOWERFETTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF182isanRFpowerfieldeffecttransistor,N-ChannelEnhancement-ModelateralMOSFET. FEATURESINCLUDE: •BradbandperformancefromHFto1GHz •Omnigold™MetalizationSystem •HighGain,Ruggeddevice.	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
MRF182S	文件：133.23 Kbytes Page：8 Pages	LATERALN-CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFETs •HighGain,RuggedDevice •BroadbandPerformancefromHFto1GHz •BottomSideSourceEliminatesDCIsolators,ReducingCommonModeInductances	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MSK182	文件：480.97 Kbytes Page：8 Pages	DUALHIGHVOLTAGE/HIGHCURRENTOPERATIONALAMPLIFIER DESCRIPTION: TheMSK182,183,184and185aredualhighpowermonolithicoperationalamplifiersidealforusewithawidevarietyofloads.Withoperationfromeithersingleordualsupplies,theyofferexcellentdesignflexibility.Powerdissipationiskepttoaminimumwithaquiescentcurrent	MSK MSK	MSK
MSK182	文件：237.43 Kbytes Page：9 Pages	DUALHIGHVOLTAGE	ANARENAnaren 安伦	ANAREN
MSK182G	文件：237.43 Kbytes Page：9 Pages	DUALHIGHVOLTAGE	ANARENAnaren 安伦	ANAREN
MSK182G	文件：480.97 Kbytes Page：8 Pages	DUALHIGHVOLTAGE/HIGHCURRENTOPERATIONALAMPLIFIER DESCRIPTION: TheMSK182,183,184and185aredualhighpowermonolithicoperationalamplifiersidealforusewithawidevarietyofloads.Withoperationfromeithersingleordualsupplies,theyofferexcellentdesignflexibility.Powerdissipationiskepttoaminimumwithaquiescentcurrent	MSK MSK	MSK
MTX182	文件：1.01288 Mbytes Page：2 Pages	Thyristor/Diodemodules	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MTX182	文件：1.01609 Mbytes Page：2 Pages	RectifierDiodeModules	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MTX182	文件：1.01013 Mbytes Page：2 Pages	ThyristorModules	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MV182CG/DPAS	文件：307.2 Kbytes Page：9 Pages	VideoProgrammeDeliveryControlInterfaceCircuit	Mitel Mitel Corporation	Mitel
NB-PTCO-182	文件：350.32 Kbytes Page：8 Pages	PlatinumThinFilm(PTF)TemperatureElements	TECTE Connectivity Ltd 泰科电子泰科电子有限公司	TEC
NTE182	文件：22.92 Kbytes Page：2 Pages	SiliconComplementaryTransistorsGeneralPurposeAmplifier,Switch Description: TheNTE182(NPN)andNTE183(PNP)aresilicontransistorsinaTO127typecasedesignedforuseingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. Features: •DCCurrentGainSpecifiedto10A •HighCurrentGain–BandwidthProduct:fT=2MHz(Min)@IC=500mA	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
OPA182	文件：3.40287 Mbytes Page：47 Pages	OPAx18236-V,5-MHz,Low-Noise,Zero-Drift,MUX-Friendly,PrecisionOpAmps 1Features •Ultra-highprecision: –Zero-drift:0.003μV/°C –Ultra-lowoffsetvoltage:4μV(maximum) •Excellentdcprecision: –CMRR:168dB –Open-loopgain:170dB •Lownoise: –enat1kHz:5.7nV/√Hz –0.1-Hzto10-Hznoise:0.12μVPP •Excellentdynamicperformance: –Gainban	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA182	文件：3.67717 Mbytes Page：43 Pages	OPAx18236-V,5-MHz,Low-Noise,Zero-Drift,MUX-Friendly,PrecisionOpAmps	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA182IDBVR	文件：3.40287 Mbytes Page：47 Pages	OPAx18236-V,5-MHz,Low-Noise,Zero-Drift,MUX-Friendly,PrecisionOpAmps 1Features •Ultra-highprecision: –Zero-drift:0.003μV/°C –Ultra-lowoffsetvoltage:4μV(maximum) •Excellentdcprecision: –CMRR:168dB –Open-loopgain:170dB •Lownoise: –enat1kHz:5.7nV/√Hz –0.1-Hzto10-Hznoise:0.12μVPP •Excellentdynamicperformance: –Gainban	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA182IDBVT	文件：3.40287 Mbytes Page：47 Pages	OPAx18236-V,5-MHz,Low-Noise,Zero-Drift,MUX-Friendly,PrecisionOpAmps 1Features •Ultra-highprecision: –Zero-drift:0.003μV/°C –Ultra-lowoffsetvoltage:4μV(maximum) •Excellentdcprecision: –CMRR:168dB –Open-loopgain:170dB •Lownoise: –enat1kHz:5.7nV/√Hz –0.1-Hzto10-Hznoise:0.12μVPP •Excellentdynamicperformance: –Gainban	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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产品属性

产品编号：
MAX182BEWI
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 模数转换器（ADC）
包装：
管件
位数：
12
采样率（每秒）：
17k
输入数：
4
输入类型：
单端
数据接口：
并联
配置：
MUX-S/H-ADC
比率 - S/H：
1：1
架构：
SAR
参考类型：
外部
电压 - 供电，模拟：
±5V，11.4V ~ 15.75V
电压 - 供电，数字：
±5V，11.4V ~ 15.75V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
28-SOIC
安装类型：
表面贴装型
描述：
IC ADC 12BIT SAR 28SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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