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BFR182T	文件：70.17 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR182T	文件：68.31 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •Highpowergain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR182T	文件：203.07 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MAX182BEPI	文件：452.55 Kbytes Page：12 Pages	Calivrated4-Channel12-BitADCwithT/HandRefernce Calivrated4-Channel12-BitADCwithT/HandRefernce	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX182BEWI	文件：452.55 Kbytes Page：12 Pages	Calivrated4-Channel12-BitADCwithT/HandRefernce Calivrated4-Channel12-BitADCwithT/HandRefernce	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX182BMJI	文件：452.55 Kbytes Page：12 Pages	Calivrated4-Channel12-BitADCwithT/HandRefernce Calivrated4-Channel12-BitADCwithT/HandRefernce	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MC-182	文件：58.75 Kbytes Page：1 Pages	IFTCOILS	SUMIDA Sumida America Components Inc.	SUMIDA
MJE182	文件：52.92 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
MJE182	文件：48.85 Kbytes Page：4 Pages	LowPowerAudioAmplifierLowCurrentHighSpeedSwitchingApplications LowCurrentHighSpeedSwitchingApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE182	文件：172.52 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors TheMJE170/180seriesisdesignedforlowpoweraudioamplifierandlowcurrent,highspeedswitchingapplications. Features •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=40Vdc−MJE170,MJE180 =60Vdc−MJE171,	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE182	文件：172.52 Kbytes Page：4 Pages	3AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60-80VOLTS12.5WATTS 3AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60–80VOLTS12.5WATTS ...designedforlowpoweraudioamplifierandlowcurrent,highspeedswitchingapplications. •Collector–EmitterSustainingVoltage— VCEO(sus)=60Vdc—MJE171,MJE181 VCEO(sus)=80Vdc—MJE172,MJE182	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MJE182	文件：54.26 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJE172(PNPtype)andMJE182(NPNtype)aresiliconepitaxialplanar,complementarytransistorsinJedecSOT-32plasticpackage,theyaredesignedforlowpoweraudioamplifierandlowcurrent,highspeedswitchingapplications. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES ■COMPLEMENTARY	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
MJE182	文件：228.62 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(3.0A,40-80V,12.5W) COMPLEMENTARYSILICONPLASTICPOWERTRANSISTORS	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
MJE182	文件：104.4 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE182	文件：556.74 Kbytes Page：3 Pages	PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS MJE170,171,172PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS MJE180,181,182NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
MJE182	文件：95.68 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPLASTICPOWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPLASTICPOWERTRANSISTORS ...designedforlowpoweramplifierandlowcurrent,highspeedswitchiiapplications. FEATURES: *Collector-EmitterSustainingVoHage- VCEO(SUS)=40V(Min)-MJE170.MJE180 =60V(Min)-MJE171.MJE181	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJE182	文件：102.83 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·ComplementtotypeMJE170/171/172 APPLICATIONS ·Forlowpoweraudioamplifierandlowcurrenthighspeedswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE182	文件：126.26 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector–EmitterSustainingVoltage—:VCEO(SUS)=80V ·DCCurrentGain—:hFE=30(Min)@IC=0.5A =12(Min)@IC=1.5A ·ComplementtoTypeMJE172 APPLICATIONS ·Lowpoweraudioamplifier ·Lowcurrenthighspeedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE182	文件：83.18 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors40??60??80VOLTS12.5WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE182	文件：71.77 Kbytes Page：1 Pages	SILICONCOMPLEMENTRYPOWERTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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产品属性

产品编号：
MAX182BCWI
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 模数转换器（ADC）
包装：
托盘
位数：
12
采样率（每秒）：
17k
输入数：
4
输入类型：
单端
数据接口：
并联
配置：
MUX-S/H-ADC
比率 - S/H：
1：1
架构：
SAR
参考类型：
外部
电压 - 供电，模拟：
±5V，11.4V ~ 15.75V
电压 - 供电，数字：
±5V，11.4V ~ 15.75V
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
28-SOIC
安装类型：
表面贴装型
描述：
IC ADC 12BIT SAR 28SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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