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BB181	文件：139.98 Kbytes Page：2 Pages	VHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB181isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnologyandencapsulatedintheSOD523(SC-79)ultrasmallplasticSMDpackage. FEATURES •Excellentlinearity •UltrasmallplasticSMDpackage •C28:1pF;ratio:14. APPLICATIONS •Electronictuninginsatelli	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BB181	文件：69.09 Kbytes Page：8 Pages	VHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB181isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnologyandencapsulatedintheSOD523(SC-79)ultrasmallplasticSMDpackage. FEATURES •Excellentlinearity •UltrasmallplasticSMDpackage •C28:1pF;ratio:14. APPLICATIONS •Electronictuninginsatelli	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BB181	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BB181LX	文件：49.66 Kbytes Page：7 Pages	VHFvariablecapacitancediode Generaldescription TheBB181LXisaplanartechnologyvariablecapacitancediodeinaSOD882TultrasmallleadlessplasticSMDpackage. Features ■Excellentlinearity ■UltrasmallleadlessSMDpackage ■Cd(28V):1pF;ratio:14 Applications ■VoltageControlledOscillators(VCO) ■Elect	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BB181LX	文件：56.73 Kbytes Page：7 Pages	VHFvariablecapacitancediode Generaldescription TheBB181LXisaplanartechnologyvariablecapacitancediodeinaSOD882TultrasmallleadlessplasticSMDpackage. Features ■Excellentlinearity ■UltrasmallleadlessSMDpackage ■Cd(28V):1pF;ratio:14 Applications ■VoltageControlledOscillators(VCO) ■Elect	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC181	文件：75.84 Kbytes Page：1 Pages	LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BD181	文件：150.15 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS NPNSILICONTRANSISTOR POWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS BD181,BD182andBD183aresiliconNPNtransistorsintendedforawidevariety ofhighpowerapplications.Typicalapplicationsincludepowerswitchingcircuits, audioamplifiers,solenoiddrivers,andseriesandshuntregulators.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD181	文件：78.64 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD181	文件：166.27 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-POWERSILICONNPNTRANSISTORS High-PowerSiliconN-P-NTransistors BroadlyApplicableDevices ForCommercialUse Features: ■Maximumsafe-area-of-operationcurves ■Lowsaturationvoltages ■Highdissipationratings	GE GE Industrial Company	GE
BD181	文件：144.46 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BF181	文件：456.1 Kbytes Page：6 Pages	NPNTRANZYSTORY [ADVANIOERLIKON] TELEVISION/VIDEODEVICES I.F./R.F.amplifiersandoscillators V.H,F./U.H.F.TVtuningdevices	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BF181	文件：127.97 Kbytes Page：1 Pages	Electricalcharacterlitics GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BF181	文件：2.17749 Mbytes Page：29 Pages	TRANZYSTORY [ADVANIOERLIKON] TELEVISION/VIDEODEVICES I.F./R.F.amplifiersandoscillators V.H,F./U.H.F.TVtuningdevices	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BF181	文件：127.97 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFP181	文件：79.2 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP181	文件：553.73 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP181	文件：79.29 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP181	文件：60.99 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFP181R	文件：58.88 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFP181R	文件：88.12 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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产品属性

产品编号：
MAX181ACPL
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > ADC/DAC - 特殊用途
包装：
托盘
类型：
数据采集
分辨率（位）：
12 b
采样率（每秒）：
100k
数据接口：
并联
供电电压源：
双 ±
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
40-DIP（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
40-PDIP
描述：
IC DAS 12BIT 100K 40DIP

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