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TZ1760A	文件：174.14 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD2.0x1.624MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.0mmx1.6mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TZ1760E	文件：201.38 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD2.0x1.624.0MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage MoistureSensitivityLevel(MSL):Level-1 DescriptionandApplications: Surfacemount2.0mmx1.6mmcrystalunitforuseinwireless	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UM1760	文件：2.6836 Mbytes Page：29 Pages	TheSTLUXSMEDconfiguratorisapowerfulgraphical	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
UPA1760	文件：68.65 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1760isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCConvertersandpowermanagementapplicationofnotebookcomputers. FEATURES •DualChipType •LowOn-Resistance RDS(on)1=26.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=4.0A) RDS(on)2=36.0mΩMAX.(V	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1760	文件：202.42 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA1760isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCConvertersandpowermanagement applicationofnotebookcomputers. FEATURES •DualChipType •LowOn-Resistance RDS(on)1=26.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=4.0A) RDS(on)2=36.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1760G	文件：1.40928 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
VHF-1760	文件：104.14 Kbytes Page：4 Pages	HighPassFilters850to7000MHz	MINI Mini-Circuits	MINI

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