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MJE170	文件：1.30081 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowPowerAudioAmplifier LowCurrent,HighSpeedSwitchingApplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MJE170	文件：104.44 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE170	文件：110 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Lowfrequencyamplifier ●Lowcurrent ●Highspeedswitchingapplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MJE170	文件：71.77 Kbytes Page：1 Pages	SILICONCOMPLEMENTRYPOWERTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJE170	文件：95.68 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPLASTICPOWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPLASTICPOWERTRANSISTORS ...designedforlowpoweramplifierandlowcurrent,highspeedswitchiiapplications. FEATURES: *Collector-EmitterSustainingVoHage- VCEO(SUS)=40V(Min)-MJE170.MJE180 =60V(Min)-MJE171.MJE181	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJE170G	文件：83.18 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors40??60??80VOLTS12.5WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE170G	文件：125.78 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors TheMJE170/180seriesisdesignedforlowpoweraudioamplifierandlowcurrent,highspeedswitchingapplications. Features •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=40Vdc−MJE170,MJE180 =60Vdc−MJE171,	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE170-TU	文件：1.30081 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowPowerAudioAmplifier LowCurrent,HighSpeedSwitchingApplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
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MLM-170D	文件：291.2 Kbytes Page：2 Pages	VisibleLEDConventionalBrightness-GaP,GaAsPandAlGaAs	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS

详细参数

型号：
MAX170DCWE-T
功能描述：
模数转换器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

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