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UPD16823	文件：185 Kbytes Page：10 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •HighdrivecurrentIDR1=0.5A(DC) IDR2=1A:atPW£200ms,dutycycle£50 IDR3=3A:atPW£200ms,singlepulse •1.5chHbridgecircuits •LowONresistance(sumofONresistanceoftopandbottomFETs) RON=0.6WTYP.atIDR=0.5A •StandbyfunctionthatturnsOFF	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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