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MBR1535CT	文件：55.53 Kbytes Page：3 Pages	DualSchottkyBarrierRectifier Features ●Schottkybarrierchip ●Guardringdieconstuctionfortransientprotection ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapabilityandlowforwardvoltagedrop ●Highsurgecapability ●Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectiona	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR1535CT	文件：67.52 Kbytes Page：3 Pages	15ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR1535CT	文件：174.22 Kbytes Page：2 Pages	15.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers FEATURES •SchottkyBarrierChip •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtection	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR1535CT	文件：75.21 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyRectifiers Features •Lowpowerloss,highefficiency. •Highsurgecapacity. •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. •Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. •Guardingfor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MBR1535CT	文件：384.34 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES •SchottkyBarrierChip •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtection	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR1535CT	文件：44.62 Kbytes Page：3 Pages	15AmpereSchottkyBarrierRectifiers Features •Lowpowerloss,highefficiency. •Highsurgecapacity. •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. •Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. •Guardingfor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MBR1535CT	文件：88.94 Kbytes Page：2 Pages	15ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtection	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR1535CT	文件：335.56 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:30-100V CURRENT:15A FEATURES ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Guard	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MBR1535CT	文件：85.49 Kbytes Page：2 Pages	15Ampschottkybarrierrectifier20to100volts Features •MeatlofSiliconRectifier,MajorityConducton •Guardringfortransientprotection •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability,HighEfficiency •LowPowerLoss	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
MBR1535CT	文件：130.419 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier FeaturesandBenefits •Center−TapConfiguration •LowForwardVoltage •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •15ATotal(7.5APerDiodeLeg) •Pb−FreePackageisAvailable* Applications •PowerSupply−OutputRectification •P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
MAX1535A
功能描述：
电池管理
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
电池类型：
Li-Ion
输出电压：
5 V
输出电流：
4.5 A
工作电源电压：
3.9 V to 17 V
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
VQFN-24
封装：
Reel

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