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MJD127	文件：300.34 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollector-Emittersaturationvoltage ·Leadformedforsurfacemountapplications ·HighDCcurrentgain APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127	文件：281.37 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollector-Emittersaturationvoltage ·Leadformedforsurfacemountapplications ·HighDCcurrentgain APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127G	文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD127G	文件：136.31 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD127G	文件：106.5 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD127PNP	文件：408.73 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MJD127TF	文件：56.54 Kbytes Page：5 Pages	D-PAKforSurfaceMountApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP127 •ComplementtoMJD122	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE127	文件：267.35 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONS ComplementaryPowerDarlingtons ForIsolatedPackageApplications Designedforgeneral–purposeamplifiersandswitchingapplications,wherethemountingsurfaceofthedeviceisrequiredtobeelectricallyisolatedfromtheheatsinkorchassis. •ElectricallySimilartothePopularTI	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJF127	文件：267.35 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONS ComplementaryPowerDarlingtons ForIsolatedPackageApplications Designedforgeneral–purposeamplifiersandswitchingapplications,wherethemountingsurfaceofthedeviceisrequiredtobeelectricallyisolatedfromtheheatsinkorchassis. •ElectricallySimilartothePopularTIP122andT	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJF127	文件：155.91 Kbytes Page：7 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONS5.0A,100V,30W ComplementaryPowerDarlingtons ForIsolatedPackageApplications Designedforgeneral−purposeamplifiersandswitchingapplications,wherethemountingsurfaceofthedeviceisrequiredtobeelectricallyisolatedfromtheheatsinkorchassis. Features •ElectricallySimilartothePopula	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MAX127BEAI-T
功能描述：
数据转换系统
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
转换速率：
0.001 MSPs
分辨率：
24 bit
最大工作温度：
+ 125 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TQFP-64
封装：
Reel

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