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MJD127	文件：357.99 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPepitaxialplanerTransistors Features •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF •MoistureSensitivityLevel1 •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compliant.SeeOrderingInfor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MJD127	文件：317.91 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127	文件：2.18315 Mbytes Page：3 Pages	TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) Feature ●HighDCCurrentGain ●ElectricallySimilartoPopularTIP127 ●Built-inaDamperDiodeatE-C	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
MJD127	文件：246.8 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •LowCollector-Emittersaturationvoltage •Leadformedforsurfacemountapplications •HighDCcurrentgain •100tested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspee	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127	文件：56.54 Kbytes Page：5 Pages	D-PAKforSurfaceMountApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP127 •ComplementtoMJD122	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD127	文件：360.31 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconDarlingtonTransistor FEATURES •HighDCCurrentGain •ElectricallySimilartoPopularTIP127 •Built-inaDamperDiodeatE-C WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJD127	文件：2.32459 Mbytes Page：5 Pages	TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighDCCurrentGain ElectricallySimilartoPopularTIP127 Built-inaDamperDiodeatE-C	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MJD127	文件：300.34 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollector-Emittersaturationvoltage ·Leadformedforsurfacemountapplications ·HighDCcurrentgain APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127	文件：281.37 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollector-Emittersaturationvoltage ·Leadformedforsurfacemountapplications ·HighDCcurrentgain APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127G	文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
MAX127ACNG
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > ADC/DAC - 特殊用途
包装：
管件
类型：
数据采集
分辨率（位）：
12 b
采样率（每秒）：
8k
数据接口：
串行
供电电压源：
单电源
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
24-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
24-PDIP
描述：
IC DAS 12BIT 8K 24DIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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