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MJD127	文件：2.18315 Mbytes Page：3 Pages	TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) Feature ●HighDCCurrentGain ●ElectricallySimilartoPopularTIP127 ●Built-inaDamperDiodeatE-C	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
MJD127	文件：246.8 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •LowCollector-Emittersaturationvoltage •Leadformedforsurfacemountapplications •HighDCcurrentgain •100tested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspee	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127	文件：56.54 Kbytes Page：5 Pages	D-PAKforSurfaceMountApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP127 •ComplementtoMJD122	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD127	文件：360.31 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconDarlingtonTransistor FEATURES •HighDCCurrentGain •ElectricallySimilartoPopularTIP127 •Built-inaDamperDiodeatE-C WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJD127	文件：2.32459 Mbytes Page：5 Pages	TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighDCCurrentGain ElectricallySimilartoPopularTIP127 Built-inaDamperDiodeatE-C	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MJD127	文件：300.34 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollector-Emittersaturationvoltage ·Leadformedforsurfacemountapplications ·HighDCcurrentgain APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127	文件：281.37 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollector-Emittersaturationvoltage ·Leadformedforsurfacemountapplications ·HighDCcurrentgain APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD127	文件：69.15 Kbytes Page：4 Pages	D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP127 •ComplementtoMJD122	SYC SYC Electronica	SYC
MJD127G	文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD127G	文件：136.31 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MAX127ACAI-T
功能描述：
数据转换系统
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
转换速率：
0.001 MSPs
分辨率：
24 bit
最大工作温度：
+ 125 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TQFP-64
封装：
Reel

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