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CTSLF1265F	文件：101.24 Kbytes Page：1 Pages	PowerInductors-Shielded	CTCentral Technologies 中基科技中基科技（香港）有限公司	CT
CXD1265	文件：925.65 Kbytes Page：24 Pages	CCDCameraTimingGenerator Description TheCXD1265RgeneratesthetimingpulsesrequiredbytheCCDimagesensorsaswellassignalprocessingcircuits. Features •NTSCandPALcompatible •Compatiblewithdigitalandanalogcamerasystems •Black-and-whitemodecompatible(EIA/CCIRcompatible) •Electro	SonySONY 索尼	Sony
CXD1265R	文件：925.65 Kbytes Page：24 Pages	CCDCameraTimingGenerator Description TheCXD1265RgeneratesthetimingpulsesrequiredbytheCCDimagesensorsaswellassignalprocessingcircuits. Features •NTSCandPALcompatible •Compatiblewithdigitalandanalogcamerasystems •Black-and-whitemodecompatible(EIA/CCIRcompatible) •Electro	SonySONY 索尼	Sony
DAC1265	文件：362.25 Kbytes Page：9 Pages	HI-SPEED12-BITD/ACONVERTER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DAC1265A	文件：362.25 Kbytes Page：9 Pages	HI-SPEED12-BITD/ACONVERTER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DAC1265ACJ	文件：362.25 Kbytes Page：9 Pages	HI-SPEED12-BITD/ACONVERTER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DAC1265AJ	文件：362.25 Kbytes Page：9 Pages	HI-SPEED12-BITD/ACONVERTER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DAC1265LCJ	文件：362.25 Kbytes Page：9 Pages	HI-SPEED12-BITD/ACONVERTER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DAC1265LJ	文件：362.25 Kbytes Page：9 Pages	HI-SPEED12-BITD/ACONVERTER	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DS1265AB	文件：160.22 Kbytes Page：8 Pages	8MNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS12658MNonvolatileSRAMsare8,388,608-bit,fullystaticnonvolatileSRAMsorganizedas1,048,576wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
DS1265W	文件：155.91 Kbytes Page：8 Pages	3.3V8MbNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS1265W8Mbnonvolatile(NV)SRAMsare8,388,608-bit,fullystatic,NVSRAMsorganizedas1,048,576wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondition	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DS1265W	文件：192.54 Kbytes Page：8 Pages	3.3V8MbNonvolatileSRAM	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
DS1265W	文件：192.54 Kbytes Page：8 Pages	3.3V8MbNonvolatileSRAM	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DS1265Y	文件：160.22 Kbytes Page：8 Pages	8MNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS12658MNonvolatileSRAMsare8,388,608-bit,fullystaticnonvolatileSRAMsorganizedas1,048,576wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
ENA1265	文件：171.52 Kbytes Page：8 Pages	CMOSIC2-CellLithium-IonSecondaryBatteryProtectionIC	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FFSB1265A	文件：316.65 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSB1265A	文件：293.43 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode650V,12A Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSM1265A	文件：326.37 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FSCQ1265RT	文件：1.20435 Mbytes Page：44 Pages	GreenModeFairchildPowerSwitch(FPS)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FSCQ1265RT	文件：1.3645 Mbytes Page：45 Pages	GreenModeFairchildPowerSwitch(FPSTM) COO765RT=>CorrectPartnumberCQ0765RT AQuasi-ResonantConverter(QRC)typicallyshowslowerEMIandhigherpowerconversionefficiencycomparedtoaconventionalhard-switchedconverterwithafixedswitchingfrequency.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
MAX1265
功能描述：
模数转换器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

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