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MJD117	文件：84.64 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Application ■Lin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD117	文件：147.74 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors ComplementaryDarlingtonPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117	文件：59.25 Kbytes Page：5 Pages	D-PAKforSurfaceMountApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP117	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD117	文件：101.63 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117	文件：250.7 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD117	文件：388.17 Kbytes Page：10 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD117	文件：144.73 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117	文件：391.1 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(PNP)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJD117	文件：275.25 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighDCCurrentGain ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage ●ComplementarytoMJD112	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MJD117	文件：286.91 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighDCcurrentgain •Built-inadamperdiodeatE-C •Leadformedforsurfacemountapplications(NOsuffix) •Straightlead(IPAK,“－I”suffix) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designe	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
MAX117EPI
功能描述：
模数转换器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

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