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IRF9240	文件：158.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •ImprovedInductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysllicongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF9240	文件：150.88 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9240	文件：158.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •ImprovedInductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysllicongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF9240	文件：147.44 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSP-CHANNEL(Vdss=-200V,Rds(on)=0.5ohm,Id=-11A) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFETTRANSISTORS THRU-HOLE(TO-204AA/AE) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-st	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9240	文件：25.63 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •P–CHANNELPOWERMOSFET •HIGHVOLTAGE •INTEGRALPROTECTIONDIODE •AVAILABLEINTO-3(TO-204AA)ANDCERAMICSURFACEMOUNTPACKAGES	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF9240	文件：63.04 Kbytes Page：7 Pages	-11A,-200V,0.500Ohm,P-ChannelPowerMOSFET -9Aand-11A,-150Vand-200VrDS(on)=0.5Ωand0.7Ω Features: ■Singlepulseavalancheenergyrated ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRF9240	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRF9240SMD	文件：29.24 Kbytes Page：2 Pages	P?밅HANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF9240-SMD	文件：25.63 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •P–CHANNELPOWERMOSFET •HIGHVOLTAGE •INTEGRALPROTECTIONDIODE •AVAILABLEINTO-3(TO-204AA)ANDCERAMICSURFACEMOUNTPACKAGES	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFM9240	文件：190.74 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvantagesofMOSFETs,s	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFM9240	文件：240.17 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFM9240	文件：579.87 Kbytes Page：2 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA)	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFN9240	文件：184.66 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFN9240	文件：29.24 Kbytes Page：2 Pages	P?밅HANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFN9240	文件：215.48 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=-200V,Rds(on)=0.51ohm,Id=-11A) RDS(on)0.51Ω ID-11A HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establis	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFN9240SMD	文件：23.63 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP9240	文件：1.77375 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP9240	文件：166.13 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-12A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP9240	文件：56.43 Kbytes Page：7 Pages	12A,200V,0.500Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRFP9240	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung

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北京三盛恒业电子有限公司	M9244	MOT	8142+	TO-3	60	原装现货实单可谈	询价
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更多M9240CMPA供应商更新时间2023-7-3 14:01:00

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