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MMBT2907A	文件：874.89 Kbytes Page：5 Pages	丝印：M7A；Package：SOT-23；PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR VOLTAGE 60 Volts POWER 225 mW FEATURES PNP epitaxial silicon, planar design Collector-emitter voltage VCE = -60V Collector current IC = -600mA Pb free product are available : 99 Sn above can meet RoHS environment substance directive request 文件：874.89 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
M7A	文件：36.67 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT PLASTIC SILICON RECTIFIERS REVERSE VOLTAGE - 50 to 1000 Volts POWER CURRENT - 1.0 Amperes FEATURES ● Diffused junction ● For surface mounted applications ● Low reverse leakage current ● Low forward voltage drop ● High current capability ●Plastic material has UL flammability classification 94V-0 文件：36.67 Kbytes 页数：2 Pages	HY 虹扬科技	HY
M7A1	文件：179.31 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM CURRENT SILICON RECTIFIERS [EDAL] 文件：179.31 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
M7A5	文件：179.31 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM CURRENT SILICON RECTIFIERS [EDAL] 文件：179.31 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
M7A5	文件：1.54726 Mbytes Page：2 Pages	SILICON GENERAL PURPOSE 6.0 AMP DIODES [EDAL] 文件：1.54726 Mbytes 页数：2 Pages	EDAL	EDAL
M7A9	文件：179.31 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM CURRENT SILICON RECTIFIERS [EDAL] 文件：179.31 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
M7A	文件：431.848 Kbytes Page：2 Pages	1A 1000V Rectifying tube 文件：431.848 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
M7A	文件：79.04 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT PLASTIC SILICON RECTIFIERS 文件：79.04 Kbytes 页数：2 Pages	HY 虹扬科技	HY
M7A	文件：145.87 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT PLASTIC SILICON RECTIFIERS 文件：145.87 Kbytes 页数：3 Pages	HY 虹扬科技	HY
M7A	文件：229.71 Kbytes Page：3 Pages	Surface Mount Glass Passivated Rectifiers 文件：229.71 Kbytes 页数：3 Pages	HY 虹扬科技	HY

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晶体管资料

型号：
MMBT2907A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
射频/高频放大（HF）_通用（G）
封装形式：
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3CL10C,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.6
wtest：
0.3

详细参数

型号：
M7A
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多M7A供应商更新时间2025-12-23 16:10:00

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