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M5M4V16169DRT-10	文件：734.96 Kbytes Page：64 Pages	16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM DESCRIPTION The M5M4V16169DTP/RT is a 16M-bit Cached DRAM which integrates input registers, a 1,048,576-word by 16-bit dynamic memory array and a 1024- word by 16-bit static RAM array as a Cache memory (block size 8x16) onto a single monolithic circuit. The block data transfer between the DRAM an 文件：734.96 Kbytes 页数：64 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
M5M4V16169DRT-10	文件：300 bytes Page：1 Pages	16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
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详细参数

型号：
M5M4V16169DRT-10
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
16MCDRAM：
16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K(1024-WORD BY 16-BIT) SRAM

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