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M59DR008F100ZB1T

8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory

DESCRIPTION The M59DR008 is an 8 Mbit non-volatile Flash memory that may be erased electrically at block level and programmed in-system on a Word-by-Word basis using a 1.65V to 2.2V VDD supply for the circuitry. For Program and Erase operations the necessary high voltages are generated internally

文件:267.87 Kbytes 页数:37 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

M5M416100AJ-7

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M5M416100BJ-6

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详细参数

  • 型号:

    M59DR008F100ZB1T

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory

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更多M59DR008F100ZB1T供应商 更新时间2026-9-26 15:30:00