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M48Z32V-35MT1集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

M48Z32V-35MT1
厂商型号

M48Z32V-35MT1

参数属性

M48Z32V-35MT1 封装/外壳为44-BSOP(0.337",8.56mm 宽);包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 44SO

功能描述

3.3V, 256 Kbit 32 Kbit x 8 ZEROPOWER SRAM
IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 44SO

封装外壳

44-BSOP(0.337",8.56mm 宽)

文件大小

329.95 Kbytes

页面数量

16

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 18:26:00

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M48Z32V-35MT1规格书详情

M48Z32V-35MT1属于集成电路(IC)的存储器。由意法半导体集团制造生产的M48Z32V-35MT1存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

SUMMARY DESCRIPTION

The M48Z32V ZEROPOWER® RAM is a 32 Kbit x 8, non-volatile static RAM that integrates powerfail deselect circuitry and battery control logic on a single die.

The 44-pin, 330mil SOIC provides a battery pin for an external, user-supplied battery. This is all that is required to fully non-volatize the SRAM.

FEATURES SUMMARY

■ INTEGRATED, ULTRA LOW POWER SRAM, AND POWER-FAIL CONTROL CIRCUIT

■ READ CYCLE TIME EQUALS WRITE CYCLE TIME

■ AUTOMATIC POWER-FAIL CHIP DESELECT AND WRITE PROTECTION

■ WRITE PROTECT VOLTAGES: (VPFD = Power-fail Deselect Voltage)

– M48Z32V: 2.7V ≤ VPFD ≤ 3.0V

■ ULTRA-LOW STANDBY CURRENT

产品属性

更多
  • 产品编号:

    M48Z32V-35MT1F

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    256Kb(32K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    35ns

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    44-BSOP(0.337",8.56mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    44-SO

  • 描述:

    IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 44SO

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