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M48Z2M1Y集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

M48Z2M1Y
厂商型号

M48Z2M1Y

参数属性

M48Z2M1Y 封装/外壳为36-DIP 模块;包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC NVSRAM 16MBIT PAR 36PLDIP

功能描述

5V or 3.3V, 16 Mbit (2Mb x 8) ZEROPOWER SRAM
IC NVSRAM 16MBIT PAR 36PLDIP

封装外壳

36-DIP 模块

文件大小

307.7 Kbytes

页面数量

17

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-5 8:01:00

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M48Z2M1Y规格书详情

M48Z2M1Y属于集成电路(IC)的存储器。由意法半导体集团制造生产的M48Z2M1Y存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

DESCRIPTION

The M48Z2M1/2M1Y ZEROPOWER® RAM is a non-volatile 16,777,216 bit Static RAM organized as 2,097,152 words by 8 bits. The device combines two internal lithium batteries, CMOS SRAMs and a control circuit in a plastic 36 pin DIP long Module.

■ INTEGRATED LOW POWER SRAM,

POWER-FAIL CONTROL CIRCUIT and

BATTERIES

■ CONVENTIONAL SRAM OPERATION;

UNLIMITED WRITE CYCLES

■ 10 YEARS of DATA RETENTION in the

ABSENCE of POWER

■ AUTOMATIC POWER-FAIL CHIP DESELECT

and WRITE PROTECTION

■ WRITE PROTECT VOLTAGES

(VPFD = Power-fail Deselect Voltage):

– M48Z2M1: 4.5V ≤ VPFD ≤ 4.75V

– M48Z2M1Y: 4.2V ≤ VPFD ≤ 4.50V

■ BATTERIES ARE INTERNALLY ISOLATED

UNTIL POWER IS APPLIED

■ PIN and FUNCTION COMPATIBLE with

JEDEC STANDARD 2Mb x 8 SRAMs

产品属性

更多
  • 产品编号:

    M48Z2M1Y-70PL1

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    16Mb(2M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    70ns

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    36-DIP 模块

  • 供应商器件封装:

    36-PLDIP 模块

  • 描述:

    IC NVSRAM 16MBIT PAR 36PLDIP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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