M48Z2M1集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
M48Z2M1 |
参数属性 | M48Z2M1 封装/外壳为36-DIP 模块;包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC NVSRAM 16MBIT PAR 36PLDIP |
功能描述 | 16 Mb 2Mb x 8 ZEROPOWER SRAM |
封装外壳 | 36-DIP 模块 |
文件大小 |
102.2 Kbytes |
页面数量 |
12 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-30 17:22:00 |
人工找货 | M48Z2M1价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
M48Z2M1规格书详情
M48Z2M1属于集成电路(IC)的存储器。由意法半导体集团制造生产的M48Z2M1存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
DESCRIPTION
The M48Z2M1/2M1Y ZEROPOWER® RAM is a non-volatile 16,777,216 bit Static RAM organized as 2,097,152 words by 8 bits. The device combines two internal lithium batteries, CMOS SRAMs and a control circuit in a plastic 36 pin DIP long Module.
■ INTEGRATED LOW POWER SRAM,
POWER-FAIL CONTROL CIRCUIT and
BATTERIES
■ CONVENTIONAL SRAM OPERATION;
UNLIMITED WRITE CYCLES
■ 10 YEARS of DATA RETENTION in the
ABSENCE of POWER
■ AUTOMATIC POWER-FAIL CHIP DESELECT
and WRITE PROTECTION
■ WRITE PROTECT VOLTAGES
(VPFD = Power-fail Deselect Voltage):
– M48Z2M1: 4.5V ≤ VPFD ≤ 4.75V
– M48Z2M1Y: 4.2V ≤ VPFD ≤ 4.50V
■ BATTERIES ARE INTERNALLY ISOLATED
UNTIL POWER IS APPLIED
■ PIN and FUNCTION COMPATIBLE with
JEDEC STANDARD 2Mb x 8 SRAMs
产品属性
更多- 产品编号:
M48Z2M1Y-70PL1
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
管件
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
NVSRAM
- 技术:
NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存储容量:
16Mb(2M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
70ns
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
36-DIP 模块
- 供应商器件封装:
36-PLDIP 模块
- 描述:
IC NVSRAM 16MBIT PAR 36PLDIP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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