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M470L6524DU0	文件：239 Kbytes Page：10 Pages	DDR SDRAM Product Guide Consumer Memory 文件：239 Kbytes 页数：10 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
M470T2863EH3	文件：393.67 Kbytes Page：14 Pages	DDR2 SDRAM Memory Consumer Memory 文件：393.67 Kbytes 页数：14 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
M470T2863FB3	文件：393.67 Kbytes Page：14 Pages	DDR2 SDRAM Memory Consumer Memory 文件：393.67 Kbytes 页数：14 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
M470T2864EH3	文件：393.67 Kbytes Page：14 Pages	DDR2 SDRAM Memory Consumer Memory 文件：393.67 Kbytes 页数：14 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
M470T2864QZH3	文件：393.67 Kbytes Page：14 Pages	DDR2 SDRAM Memory Consumer Memory 文件：393.67 Kbytes 页数：14 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
M470T2953BS0-CD5/CC	文件：328.21 Kbytes Page：19 Pages	200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3 and 4 • Write Latency(WL) = Re 文件：328.21 Kbytes 页数：19 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
M470T2953BS0-CD5SLASHCC	文件：328.21 Kbytes Page：19 Pages	200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3 and 4 • Write Latency(WL) = Re 文件：328.21 Kbytes 页数：19 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
M470T2953BS3-CD5/CC	文件：328.21 Kbytes Page：19 Pages	200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3 and 4 • Write Latency(WL) = Re 文件：328.21 Kbytes 页数：19 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
M470T2953BS3-CD5SLASHCC	文件：328.21 Kbytes Page：19 Pages	200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3 and 4 • Write Latency(WL) = Re 文件：328.21 Kbytes 页数：19 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
M470T2953BSY0-CD5/CC	文件：328.21 Kbytes Page：19 Pages	200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3 and 4 • Write Latency(WL) = Re 文件：328.21 Kbytes 页数：19 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG

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详细参数

型号：
M470
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
512MB Unbuffered SODIMM(based on sTSOP)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	M470L6524BT0-CB3	SAMSUNG/MICRON	23+	MODULE	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
上海金庆电子技术有限公司	M470L6524CU0-CB3	SAMSUNG	2004+		5	全新发货1-2天	询价
深圳市一线半导体有限公司	M470L6524DU0CB3	SAM	24+		300		询价
深圳市威雅利发展有限公司	M470L6524DU0-CB3	SAMSUNG	25+	TSSOP-14	2	原厂原包装,终端BOM表可配单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	M470T2864EH3CE600A	SAMSUNG/三星	22+	N/A	20000	公司只有原装品质保障	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	M470T2864FB3-CF700	SAMSUNG	24+	SODIMM	35200	一级代理/放心采购	询价
深圳市振宏微科技有限公司	M470T2864QZ3-CE6	SAMSUNG	25+	NA	639	专做原装正品,假一罚百!	询价
深圳市向鸿伟业电子有限公司	M470T2864QZ3-CE600	SAMSUNG/三星	2402+		8324	原装正品!实单价优!	询价
标准国际(香港)有限公司	M470T2864QZ3-CF7	SAMSUNG	25+		75	公司优势库存热卖中!	询价
深圳市弘为电子有限公司	M470T2953EZ3-CE6	SAM	24+		54860	原装现货假一罚十	询价

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