Features

• Interface

 Parallel Asynchronous x16

• Technology

 40nm pMTJ STT-MRAM

• Data Retention (see Table 16. Endurance

and Data Retention Density)

 4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb

• Operating Voltage Range

 VCC: 2.70V – 3.60V

• Operating Temperature Range

 Industrial: -40°C to 85°C

 Industrial Plus: -40°C to 105°C

• RoHS Compliant & REACH Compliant

• Packages

 44-pin TSOP (10mm x 18mm)

 54-pin TSOP (10mm x 22mm)

 48-ball FBGA (10mm x 10mm)

• Memory Array Organization

M3016316035NX0IBCY属于集成电路（IC） > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的M3016316035NX0IBCY存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。