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M29W128GH60ZA6E	文件：1.7868 Mbytes Page：94 Pages	128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory Description TheM29W128GHandM29W128GLare128Mbit(8Mbx16or16Mbx8)non-volatileFlashmemoriesthatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmode.	NUMONYXNUMONYX 恒忆	NUMONYX
M29W128GH60ZA6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：64-TBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64TBGA	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
M29W128GH60ZA6F	文件：1.7868 Mbytes Page：94 Pages	128Mbit(16Mbx8or8Mbx16,page,uniformblock)3VsupplyFlashmemory Description TheM29W128GHandM29W128GLare128Mbit(8Mbx16or16Mbx8)non-volatileFlashmemoriesthatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmode.	NUMONYXNUMONYX 恒忆	NUMONYX

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M29W128GH60ZA6E

文件：1.7868 Mbytes

Page：94 Pages

128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory

Description TheM29W128GHandM29W128GLare128Mbit(8Mbx16or16Mbx8)non-volatileFlashmemoriesthatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmode.

NUMONYXNUMONYX

恒忆

NUMONYX

M29W128GH60ZA6E

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：托盘封装/外壳：64-TBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64TBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

M29W128GH60ZA6F

文件：1.7868 Mbytes

Page：94 Pages

128Mbit(16Mbx8or8Mbx16,page,uniformblock)3VsupplyFlashmemory

NUMONYXNUMONYX

恒忆

NUMONYX

产品属性

产品编号：
M29W128GH60ZA6E
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
128Mb（16M x 8，8M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
60ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
64-TBGA
供应商器件封装：
64-TBGA（10x13）
描述：
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64TBGA

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