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M29F800DB70M6E	文件：332.85 Kbytes Page：39 Pages	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory Summary description The M29F800D is a 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage (5V) supply. On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same way as a RO 文件：332.85 Kbytes 页数：39 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M29F800DB70M6E	文件：420.24 Kbytes Page：53 Pages	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory 文件：420.24 Kbytes 页数：53 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M29F800DB70M6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-SOIC（0.525"，13.34mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO	Micron Technology Inc.	Micron Technology Inc.
M29F800DB70M6F	文件：420.24 Kbytes Page：53 Pages	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory 文件：420.24 Kbytes 页数：53 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M29F800DB70M6F	文件：332.85 Kbytes Page：39 Pages	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory Summary description The M29F800D is a 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage (5V) supply. On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same way as a RO 文件：332.85 Kbytes 页数：39 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M29F800DB70M6T	文件：332.85 Kbytes Page：39 Pages	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory Summary description The M29F800D is a 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage (5V) supply. On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same way as a RO 文件：332.85 Kbytes 页数：39 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
M29F800DB70M6E
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
8Mb（1M x 8，512K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
70ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-SOIC（0.525"，13.34mm 宽）
供应商器件封装：
44-SO
描述：
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO

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