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M29DW128F70NF6T	文件：719.73 Kbytes Page：93 Pages	128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory Features summary ■ Supply Voltage – VCC = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and Read – VCCQ= 1.65V to 3.6V for Input/Output – VPP =12V for Fast Program (optional) ■ ASYNCHRONOUS RANDOM/PAGE READ – Page Width: 8 Words – Page Access: 25, 30ns – Random Access: 60, 70ns ■ PROGRAMMING TIME – 1 文件：719.73 Kbytes 页数：93 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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M29DW128F70NF6T	文件：1.78901 Mbytes Page：94 Pages	128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory 文件：1.78901 Mbytes 页数：94 Pages	NUMONYX	NUMONYX
M29DW128F70NF6	文件：719.73 Kbytes Page：93 Pages	128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory Features summary ■ Supply Voltage – VCC = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and Read – VCCQ= 1.65V to 3.6V for Input/Output – VPP =12V for Fast Program (optional) ■ ASYNCHRONOUS RANDOM/PAGE READ – Page Width: 8 Words – Page Access: 25, 30ns – Random Access: 60, 70ns ■ PROGRAMMING TIME – 1 文件：719.73 Kbytes 页数：93 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M29DW128F70NF6	文件：756.04 Kbytes Page：94 Pages	128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory 文件：756.04 Kbytes 页数：94 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
M29DW128F70NF6T
制造商：
NUMONYX
制造商全称：
Numonyx B.V
功能描述：
128 Mbit(16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory

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