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M28F512-12B1 | 512 Kbit (64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory DESCRIPTION The M28F512 FLASH Memory is a non-volatile memory which may be erased electrically at the chip level and programmed byte-by-byte. It is organised as 64K bytes of 8 bits. It uses a command register architecture to select the operating modes and thus provides a simple microprocessor int 文件：523.409 Kbytes 页数：20 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
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详细参数
- 型号：
M28F512-12B1
- 制造商：
STMICROELECTRONICS
- 制造商全称：
STMicroelectronics
- 功能描述：
512 Kbit(64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
SMD |
3000 |
公司存货 |
询价 | ||
ST |
25+ |
DIP |
2987 |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
询价 | ||
ST |
0510+ |
DIP |
17029 |
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询价 | ||
ST |
1902+ |
DIP |
2734 |
代理品牌 |
询价 | ||
ST |
23+ |
DIP |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
DIP |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
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ST |
22+ |
DIP |
16900 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
询价 | ||
ST |
25+ |
DIP |
16900 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ST |
2511 |
DIP |
16900 |
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ST |
0810+ |
DIP |
220 |
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更新时间2025-10-9 14:02:00
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