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M28F256-10C3TR	文件：715.28 Kbytes Page：20 Pages	256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY 文件：715.28 Kbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M28F256-10C3TR	文件：523.409 Kbytes Page：20 Pages	512 Kbit (64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory DESCRIPTION The M28F512 FLASH Memory is a non-volatile memory which may be erased electrically at the chip level and programmed byte-by-byte. It is organised as 64K bytes of 8 bits. It uses a command register architecture to select the operating modes and thus provides a simple microprocessor int 文件：523.409 Kbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M28W160CB70N6E	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP48	ST/Numony 上传：深圳市拓亿芯电子有限公司	ST/Numony
M28W160CB70N6E	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP	Micron 美光上传：深圳市科恒伟业电子有限公司	Micron
M28W160CT70N6E	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP48	MICRON/美光上传：深圳庞田科技有限公司	MICRON/美光

更多M28F256-10C3TR供应商更新时间2025-12-15 16:36:00