M28F101-200N3数据手册贸易商意法半导体-114ic电子网

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M28F101-200N3	文件：197.89 Kbytes Page：23 Pages	1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY DESCRIPTION The M28F101 FLASH Memory is a non-volatile memory which may be erased electrically at the chip level and programmed byte-by-byte. It is or ganised as 128K bytes of 8 bits.It uses a command register architecture to select the operating modes and thus provides a simple microprocess 文件：197.89 Kbytes 页数：23 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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更多M28F101-200N3供应商更新时间2022-6-12 10:12:00