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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
N-ChannelPowerMOSFET500V,1.25? | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
N-ChannelPowerMOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
N-ChannelPowerMOSFET500V,1.25? | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER | ||
N-ChannelPowerMOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
N-ChannelPowerMOSFET500V,1.25? | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
N-ChannelPowerMOSFET500V,1.5Ohm | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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