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AOM033V120X2Q

丝印:M033V120X2Q;Package:TO-247-4L;1200 V αSiC Silicon Carbide Power MOSFET

Features • Proprietary αSiC MOSFET technology • Low loss, with low RDS, ON • Fast switching with low RG and low capacitance • Optimized gate drive voltage (VGS = 15 V) • Low reverse recovery diode (Qrr) • AEC-Q101 Automotive Qualified Applications • xEV Charger • Electric Vehicle Supply

文件:778.62 Kbytes 页数:9 Pages

AOSMD

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更多M033V120X2Q供应商 更新时间2025-9-13 8:01:00